市場中客戶需要量數最多的氮化鋁陶瓷電路板，在功率大的集成電路芯片廣泛應用。所采用的電路板原材料一直延用AL2O3三氧化二鋁和Beo陶瓷，可是AL2O3三氧化二鋁基材的導熱率低、線膨脹系數與Si不太配對；Beo盡管具備出色的綜合型能，但是其具有很高的產品成本和有毒的缺陷限制它項目研究。因此不論是特性、成本費、環保規定方面來講AL2O3和Beo陶瓷早已無法滿足電子器件電力電子器件發展和要求了，取代它的是氮化鋁陶瓷電路板。

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      氮化鋁陶瓷是以AlN氮化鋁為主要晶相的陶瓷。其機械性能好，抗彎強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可常壓燒結。氮化鋁陶瓷具有優良的電性能（介電常數、介電損耗、體電阻率、介電強度）和良好的透光特性，氮化鋁AIN除了在陶瓷電路板應用外，在導熱界面填料中導熱灌封膠、導熱硅脂、導熱凝膠、導熱塑料、導熱雙面膠、導熱粘接膠、導熱結構膠、導熱覆銅板填料等。

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      長期以來，Al2O3 和 BeO 陶瓷是大功率封裝的兩種主要基板材料。然而，這兩種基板材料具有固有的缺點。Al2O3 導熱系數低，熱膨脹系數與芯片材料不匹配。BeO雖然綜合性能優良，但生產成本高。

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     在氮化鋁一系列關鍵特性中，更為明顯的是中導熱率。其核心原理為：利用點陣式或晶格常數振動，即依靠晶格常數波或熱波開展傳送。氮化鋁陶瓷為絕緣層陶瓷原材料，針對絕緣層陶瓷原材料，熱量以分子震動方法傳送，歸屬于聲子傳熱，聲子在它傳熱環節中飾演者重要角色。氮化鋁導熱系數本質上可以達到320W(m·K)，但是由于氮化鋁含有雜物和缺點，造成氮化鋁陶瓷電路板的導熱率無法達到標準偏差。氮化鋁粉末狀中殘渣通常是氧、碳，此外還有少量重金屬離子殘渣，在晶格常數中獲得各種各樣缺點方式，這種缺點對聲子的透射也會導致導熱系數。AlN氮化鋁耐熱，耐熔融金屬侵蝕。AlN 對酸穩定，但在堿性溶液中容易腐蝕。當暴露在潮濕空氣中時，新形成的 AlN 表面會發生反應，形成一層薄薄的氧化膜。利用這一特性，可用作熔煉鋁、銅、銀、鉛等金屬的坩堝和燒制模具材料。

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