氮化鋁ALN是AL和N唯一穩定的化合物，是III-V族中能隙值較大的半導體。AlN最高可穩定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好，熱導率高(約320W/m·K)，熱膨脹系數小，純度球形氮化鋁、高是良好的耐熱沖擊材料。氮化鋁原子間以共價鍵相結合，化學穩定性好，熔點高，同時它的機械強度高，電絕緣性能佳，介電性能良好是一種壓電材料。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變為立方氮化硼的催化劑。具有良好的注射成形性能，可用于導熱復合材料，與半導體硅匹配性好，界面相容性好，能提高復合材料的機械性能和導熱介電性能。
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特別是用在導熱界面材料-導熱膠專用導熱填充料。通過將導熱能力優異的AlN納米粉末添加到環氧樹脂中，可有效提高材料的熱導率和強度。在導熱界面材料中導熱膠添加的氮化鋁是球形氮化鋁，片狀氮化鋁和球形氮化鋁導熱系數要比片狀的要低，由于球形氮化鋁所形成具有規則的形貌，較小的比表面積，較大的堆積密度和較好的流動性，可極大地提高制品的應用性能。球形氮化鋁粉具有良好的導熱性能，是目前市場熱界面材料中導熱系數較高使用且使用占比較高的導熱填料。
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